용어사전

HBM3E

[Enhanced version of High Bandwidth Memory, 3rd Generation]

HBM3E는 5세대 고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory)로, 4세대인 HBM3에 비해 더 높은 대역폭과 용량을 제공하는 차세대 메모리 기술이다.

HBM3E는 핀당 최대 9.8Gbps의 데이터 전송 속도를 지원하며, 이를 통해 스택당 최대 1,250GB/s의 대역폭을 구현할 수 있다. 용량 측면에서는 8단(8-High) 스택 구성 시 24GB, 12단(12-High) 스택 구성 시 36GB를 제공한다.

이는 성능과 용량 모두 전작인 4세대 HBM3의 8단 스택과 비교해 50% 이상 향상된 수준이다.

HBM3E는 특히 인공지능(AI) 반도체 분야에서 주목받으며, 향후 고대역폭 메모리(HBM) 시장을 주도할 것으로 예상된다.

SK하이닉스, 마이크론, 삼성전자,이 HBM3E 개발과 양산 경쟁을 펼치고 있으며, 2024년 2월 26일 마이크론이 양산 개시를 발표했다. 그러나 이는 SK하이닉스보다 다소 늦은 것이다.

SK하이닉스는 2024년 3월 19일 발표를 통해 이미 같은 해 1월부터 초기 양산을 시작했고, 고객사와의 품질 인증을 마친 뒤 3월 말부터 제품 공급을 시작한다고 밝히며, HBM3E의 최초 양산 업체임을 알렸다.

2025년 들어서는 삼성전자의 반등이 주목받고 있다. 삼성전자는 AMD의 AI 가속기 MI350X에 12단 HBM3E 제품을, 브로드컴 통신용 반도체에 8단 제품을 공급하며 의미 있는 성과를 내고 있다. 이는 엔비디아 품질 테스트에 장기간 발목을 잡혔던 상황에서 ‘가뭄 끝 단비’ 같은 결과로 평가된다.

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• 참조어HBM3E 12 H, HBM4, MR-MUF