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HBM4

[High Bandwidth Memory version 4, HBM4]

HBM4(High Bandwidth Memory 4, 고대역폭 메모리 4)는 차세대 메모리 시장의 핵심으로 떠오른 기술이다. JEDEC이 2024년 7월 확정한 6세대 HBM 규격으로, 핀당 최대 6.4Gbps의 데이터 전송 속도를 지원한다. 인터페이스 폭은 전 세대인 HBM3E의 두 배로 확대돼, 전체 대역폭이 크게 늘어난 것이 특징이다.

HBM4는 12층에서 최대 16층까지 D램 칩을 적층할 수 있다. 층당 24Gb와 32Gb 용량을 제공해 최대 64GB 이상의 대용량 메모리 구현이 가능하다.

◇ 산업 현황 = SK하이닉스는 2025년 3월 세계 최초로 12층 HBM4 샘플을 주요 고객사에 공급했다. 같은 해 9월에는 양산 체제를 완성했다고 발표했다. 충북 청주 M15X 공장은 2025년 4분기 준공을 앞두고 있으며, 2026년부터 본격적인 생산이 이뤄질 예정이다. 삼성전자는 평택 P3, P4 공장에 10나노급 6세대(1c) D램 기반 HBM4 라인을 구축 중이다. 2025년 연말부터 설비 투자를 시작해 2026년 중반까지 라인 구축을 마친다는 계획이다.

◇ 기술 경쟁 = HBM4는 HBM3E 대비 대역폭이 두 배로 확대되고 전력 효율이 40% 이상 개선됐다. SK하이닉스는 검증된 1b D램과 MR-MUF 패키징 기술을 앞세워 안정성을 강조한다. 반면 삼성전자는 한 세대 앞선 1c D램과 4나노 파운드리 공정을 내세워 차별화를 시도하고 있다.

◇ 활용 분야 = HBM4는 엔비디아의 차세대 AI 가속기 ‘루빈(Rubin)’ 시리즈를 비롯해 고성능 인공지능(AI)과 데이터센터용 시스템에 본격 적용될 전망이다. 업계에서는 HBM4가 메모리 반도체 시장의 판도를 바꿀 게임체인저로 보고 있다.

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• 참조어HBM3E, 블랙웰