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Re램

[resistance random access memory, ReRAM]

재료 스스로 저항하는 성질을 가지는 실리콘 옥사이드를 이용해 기억을 저장하는 메모리 반도체.

낸드에 비해 속도가 20배 이상 빠르고 수명은 10배 이상 길다. 인텔이 의욕적으로 내놓은 3D 크로스포인트는 P램의 일종이다

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• 참조어M램

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• [단독] '세계 2위 반도체 장비업체' 미국 램리서치 마틴 앤스티스 CEO "D램·낸드…범용 메모리는 한계를 맞았다"

  “반도체 시장에 근본적 변화가 다가오고 있습니다. 메모리 반도체 시장을 지배해온 D램은 앞으로 5~6년 정도면 기술적 한계를 맞을 겁니다.” 세계 반도체 장비업계 2위인 미국 램리서치의 마틴 앤스티스 최고경영자(CEO·사진)는 최근 기자와 만나 이같이 밝혔다. 반도체 업계에선 최근 ‘2년마다 집적도가 2배씩 늘어난다’는 ‘무어의 법칙’이 폐기됐다. 이 법칙을 만든 인텔은 “프로세서 공정 전환 주기를 2년에서 3년으로 바꾸겠다”고 지난 2월 선언했다. 미세공정 기술(반도체 회로 간격을 줄여 집적도를 높이고 한 웨이퍼에서 더 많은 칩을 생산하는 기술)이 10나노미터(㎚)대에 접어들며 개발 자체가 어려워졌을 뿐 아니라 개발에 드는 비용도 천문학적으로 늘어서다. 삼성전자, SK하이닉스 등 한국이 주도해온 메모리 반도체도 예외가 아니다. 앤스티스 CEO는 “그동안 메모리는 D램, 낸드 등 두 가지가 이끌어왔지만 앞으로는 M램, Re램, 3차원(D) X포인트 등 종류가 다양해지고 ‘맞춤형’은 물론 여러 가지 형태로 진화할 것”이라며 “범용 메모리가 시장을 이끄는 시대는 끝났다”고 설명했다. D램은 수요가 정체됐고 기술적으로도 더 이상 진화하기 힘든 한계에 가까워졌다. 삼성전자가 18나노 D램 양산에 들어간 가운데 업계에선 10나노 이하로의 진입이 불가능할 것으로 보고 있다. 낸드도 솔리드스테이트드라이브(SSD) 증가로 수요는 늘고 있지만, 속도가 느려 새로운 구조의 뉴메모리에 대한 필요성이 커지고 있다. 이에 따라 업계는 M램 Re램 등을 생산하기 위해 연구개발(R&D)에 집중하고 있다. M램은 D램보다 속도가 빠르며, Re램은 낸드보다 빠르고 내구성이 좋다. 인텔이 올해 양산을 시작하는 3D X포인트는 속도, 용도 측면에서 D램과 낸드 사이에 자리잡을 것으로 관측되고 있다. 지난해 반도체 업계에선 유난히 인수합병(M&A)이 많았다. 블룸버그에 따르면 작년에만 1100억달러 규모의 M&A가 성사됐다. 램리서치도 업계 5위인 KLA텐코와 합병을 진행 중이다. 앤스티스 CEO는 “활발한 M&A는 반도체 시장의 근본적 변화에 맞춰 소재, 장비 등에서 혁신을 이뤄내기 위해 기업끼리 힘을 합치려는 노력의 일환”이라고 설명했다. 미국 실리콘밸리에 있는 램리서치는 몇 년간 장비업계에서 가장 성장세가 빠른 회사로 꼽힌다. 작년 59억달러의 매출 중 25%가량을 한국 시장에서 거뒀다. 한국법인에 500명이 근무 중이며, 자회사 코러스매뉴팩처링(직원 120명)도 한국에 있다. 앤스티스 CEO는 “기업이 급성장할 때 가장 중요한 건 권한 위임”이라며 “적절하게 직원들에게 권한을 나눠줘야 기업의 효율성이 유지될 수 있다”고 설명했다. “한국 기업들이 직원의 창의성을 높이기 위해 고민하고 있다”고 말하자 그는 “기업이 혁신하려면 자율과 규율 사이에서 적절한 균형을 찾아야 한다”며 “이는 실리콘밸리 기업에도 중요한 과제”라고 답했다. 앤스티스 CEO는 실리콘밸리에 있는 기업 대표들의 모임인 실리콘밸리리더십그룹(SVLG) 이사회 멤버이기도 하다. 그는 “CEO의 가장 중요한 역할은 강력한 비전을 세우고, 직원들이 잠재력을 발현할 수 있게 하는 것”이라고 덧붙였다. 램리서치는 대규모 반도체 투자에 나선 중국 업체들과도 협력하고 있다. 그는 “중국의 반도체 육성 의지는 매우 강하다”며 “반도체 기술 수준이 선진 기업을 단기간에 따라잡기 어려운 만큼 중국은 글로벌 기업과의 파트너십을 통해 이 목표를 이루려는 것 같다”고 설명했다. 중국은 삼성전자의 3D 낸드 공장을 시안에 유치한 데 이어 인텔 TSMC 퀄컴 등과도 협력해 반도체 생산라인을 짓기로 했다. ■ M램 자기저항 효과를 이용한 뉴메모리. 구조가 단순하면서도 속도와 내구성은 D램보다 뛰어나다. ■ Re램 전기저항 변화를 이용한 뉴메모리. 낸드에 비해 속도가 20배 이상 빠르고 수명은 10배 이상 길다. 김현석 기자 realist@hankyung.com

  2016-04-19