화학적 기계 연마
[Chemical Mechanical Polishing, CMP]웨이퍼를 연마패드(Pad)의 표면 위에 접촉하도록 한 상태에서 슬러리를 공급하여 웨이퍼 표면을 화학적으로 반응시키면서 플래튼(platen)과 연마헤드(Polishing Head)를 상대운동시켜 기계적으로 웨이퍼 표면의 요철부분을 평탄화하는 기술이다.
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홍콩 범죄인 인도법 개정안[Hong Kong Extradition Law]
홍콩 지역에 있는 범죄 용의자를 범죄인 인도협정을 체결한 국가에 인도할 수 있게 하는 법안...
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환경개선부담금
오염원인자 부담원칙에 따라 오염물질을 배출한 오염원인자에게 오염물질 처리비용을 부담토록 하...
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활성산소[reactive oxygen]
호흡을 하는 생물체들은 산소를 필요로 하는데 그 과정에서 반응성이 강한 산소유도체가 생성된...
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현황조사서
매각물건명세서와 함께 입찰예정자가 응찰에 앞서 반드시 열람해 봐야 할 법원의 또 다른 경매...