화학적 기계 연마
[Chemical Mechanical Polishing, CMP]웨이퍼를 연마패드(Pad)의 표면 위에 접촉하도록 한 상태에서 슬러리를 공급하여 웨이퍼 표면을 화학적으로 반응시키면서 플래튼(platen)과 연마헤드(Polishing Head)를 상대운동시켜 기계적으로 웨이퍼 표면의 요철부분을 평탄화하는 기술이다.
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한국공학교육인증원[Accreditation Board for Engineering Education of Korea, ABEEK]
1999년 8월30일 전국공과대학협의회, 한국공학교육학회, 공학한림원, 산업체 등이 창립한...
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하락십자잉태형
형태상으로는 직전의 긴 봉에 완전히 감싸이는 작은 봉이 나타나는 형태이다. 두 번째 작은 ...
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환관리[exchange control]
시민 또는 외국인에게 자국화폐와 외국화폐를 교환하는 것을 통제하는 정부의 정책. 국제수지의...
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현금흐름보상비율
현금수입으로 이자 및 부채를 감당할 수 있는 능력을 나타내는 지표. 비율이 높을수록 양호함...