용어사전

노광장비

[lithography equipment, photolithography equipment]

노광장비는 반도체 제조 공정에서 웨이퍼 표면에 미세한 회로 패턴을 형성하는 핵심적인 장비다. 이 장비는 감광 물질인 포토레지스트를 웨이퍼에 도포한 뒤, 빛을 이용해 마스크(레티클)에 새겨진 회로 패턴을 포토레지스트에 전사하는 과정을 통해 작동한다. 빛에 노출된 포토레지스트가 제거되면서 웨이퍼 표면에 정교한 회로가 형성된다.

현재 반도체 제조에서 사용되는 노광 기술은 크게 EUV(극자외선)와 DUV(심자외선) 두 가지로 나뉜다.

EUV 노광장비: 초미세 공정의 핵심
EUV 노광장비는 7나노 이하의 첨단 반도체 제조에 필수적이며, 주로 비메모리 반도체(파운드리) 공정에서 활용된다. DRAM 제조에서도 EUV 기술은 4세대10나노급 공정에서 사용되고 있다. (SK하이닉스는 2021년 7월부터 EUV를 활용한 LPDDR4 모바일 DRAM(4세대 10나노급)을 양산하기 시작했다). 현재 EUV 기술을 바탕으로 7나노 이하의 반도체를 양산할 수 있는 기업은 삼성전자와 TSMC 등 소수에 불과하다.

DUV 노광장비: 일반 반도체 생산의 주력
DUV 노광장비는 20나노급 이상의 반도체 제조에 주로 사용되며, 10나노급 DRAM 생산까지 가능하다.7nm 이하의 공정에선 해상도와 공정 안정성 면에서 한계에 부딪힌다. 이때문에 EUV보다 덜 정교한 반도체 제조에 사용되지만, 여전히 많은 반도체 제조 공정에서 널리 사용되고 있다.

노광장비는 반도체의 집적도와 성능을 결정짓는 핵심 요소로, 각 기술의 특성과 장점을 바탕으로 다양한 반도체 제조 공정에 필수적으로 활용되고 있다.

관련어

• 참조어극자외선 노광장비