용어사전

HBM3E

[Enhanced version of High Bandwidth Memory, 3rd Generation]

HBM3E는 고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory)의 일종으로, 기존의 HBM3에 비해 더 높은 대역폭과 용량을 제공하는 고성능 메모리 기술이다.

HBM3E는 초당 최대 1,280GB의 대역폭과 36GB의 용량을 제공하여 성능과 용량 모두 전작인 HBM3 (4세대 HBM) 8H 대비 50% 이상 개선된 제품이다.

HBM3E는 인공지능(AI) 반도체 분야에서 주목받고 있으며, 고대역폭 메모리(HBM) 시장을 주도할 것으로 예상된다.

삼성전자, SK하이닉스, 그리고 마이크론이 HBM3E의 개발과 양산을 위해 치열한 경쟁을 벌이고 있는 가운데, 2024년 2월26일 마이크론이 처음으로 양산을 발표했다. 하지만 이는 SK하이닉스에 비해 다소 늦은 것이다.

SK하이닉스는 2024년 3월 19일 SK하이닉스는 1월 초기 양산을 시작하고 고객사와 함께 품질인증을 거친 후 3월 말부터 제품 공급을 시작한다고 발표함으로써, HBM3E 양산을 최초로 시작한 회사임을 알렸다.

관련어

• 참조어HBM3E 12 H, HBM4, MR-MUF