3중셀 기술
[3 bit per cell technology]셀 하나당 3 비트의 정보를 저장할 수 있는 차세대 낸드 플래시 기술로 하이닉스가 2008년 6월 세계최초로 개발했다. 하나의 낸드 플래시에는 수백억 개의 메모리 셀로 구성되어 있는데, 이 메모리 셀 하나당 1비트의 정보를 저장하는 방식을 SLC(Single Level Cell)라고 부른다.
현재 일반적으로 상용화된 MLC(Multi Level Cell) 기술은 메모리 셀 하나당 2 비트의 정보를 저장할 수 있으며, 이처럼 셀당 저장 용량이 늘어나면 필요한 셀의 개수가 절반으로 줄어들어 제조 원가가 크게 절감되며 제품 크기도 작아진다.
현재 대부분의 메모리 업체는 이 셀의 저장용량을 늘리기 위해 앞다투어 3중셀(X3, 셀 하나에 3비트 저장 가능), 4중셀(X4, 셀 하나에 4비트 저장 가능)의 개발에 나서고 있으나, 셀당 저장용량이 늘어나면서 셀 내의 비트 정보 간 간섭현상을 해결하는 것이 최대의 난제로 꼽히고 있다.