산화갈륨
[Gallium Oxide]산화갈륨은 밴드갭이 약 4.7–4.9 eV로 매우 넓은 ‘초광대역 갭(UWBG)’ 화합물 반도체 소재다. β‑Ga₂O₃ 단결정은 기존의 Si, SiC, GaN 등에 비해 항복전압이 높고 고전압·고전력 환경에서도 안정적인 동작이 가능하다는 점에서, 전기차용 인버터, 전력망용 컨버터, 고전압 DC–DC 변환기 등 차세대 전력전자 기기의 핵심 후보 물질로 주목받고 있다.
특히 산화갈륨은 용융 성장법(Crystal Melt Growth) 적용이 가능해, 상대적으로 비용 효율이 높고 대구경 웨이퍼 생산이 가능한 점이 실용화의 핵심 강점이다. 다만 열전도율이 낮고, 열관리와 소자 제조 공정의 고도화가 필요한 한계가 있어 현재는 연구·개발 단계와 초기 양산 단계가 혼재된 시점이다. 안정성과 상용화 가능성을 고려하면, 향후 전력 효율화와 소형화가 요구되는 EV, 데이터센터, 재생에너지 인프라, 스마트그리드 등에서 의미 있는 역할이 기대된다.