실리콘관통전극
[through silicon via, TSV]D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다 얇게 깎은 뒤 수백 개의 미세 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 전극으로 연결하는 기술로 거대역폭 메모리에 주로 쓰인다. 기존의 와이어 본딩 방식은 칩을 회로기판에 심은 뒤 전기선을 연결하는 것이지만, 실리콘 관통전극 방식은 칩을 쌓은 뒤 그 실리콘 기판을 뚫고 전극으로 연결하는 것이다. TSV는 기존 와이어 본딩 방식에 비해 전송거리가 줄어 동작 속도는 두 배 빠르면서 소비전력은 절반 수준으로 줄였다. 또한 I/O 수 제한이 없어지고, 단락 접촉 불량과 신호 지연 문제가 개선됐다.
삼성전자가 2010년 세계 최초로 TSV 기반 D램 모듈을 개발하였으며 2014년 8월 27일 세계 최초로 3차원 실리콘관통전극(TSV) 적층 기술을 적용한 64기가바이트(GB) 차세대 DDR4 서버용 D램 모듈의 생산을 시작했고 2015년 11월 26일에는 128GB 서버용 D램 모듈 생산을 시작했다.
TSV기술은 차세대 패키징 기술과 더불어 200단 낸드플래시 적층의 한계를 넘어서게 한 일등공신으로 손꼽힌다.
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