갈륨비소
[GaAs]갈륨(Ga)과 비소(As)를 함유한 다원소화합물. 실리콘을 대신할 반도체 재료 및 전력소자로 떠오르고 있는 신소재로 갈륨비소에 인 또는 알루미늄이 연결된 화합물이다.
게르마늄이나 실리콘 등 단원소보다 전자 이동속도가 6배 빨라 연산속도를 6배 높일 수 있으며 배선용량이 작고 트랜지스터 구조가 간단해 고속화·고집적화에 적합하다. 반절연성의 기판을 쉽게 만들 수 있으며 여러 가지 다른 화합물 반도체를 형성할 수 있을 뿐 아니라 소비전력이 적고 집적회로(IC)에 알맞아 최근 반도체 제조용으로 주목받고 있다. 특히 다양한 성질을 낼 수 있는 복잡한 구조의 디바이스 제조가 가능해 주문형반도체(ASIC) 등 반도체 분야에서 광범위하게 응용될 전망이다.
빛을 발하거나 받아들이는 성질이 있고 광에너지를 전기에너지로 바꾸는 효율도 높아 광디바이스 재료로 연구되고 있으며 발광다이오드 등에는 이미 실용화되어 있다. 갈륨비소는 휴대용전화기 등의 전력모듈로도 사용되고 있으며 전화기를 초경량·초소형화할 수 있는 1칩 무선IC 제조에 갈륨비소를 이용하려는 연구가 각국에서 진행되고 있다.