용어사전

1c D램

[sixth generation of DRAM]

1c D램은 10나노미터(nm) 중반의 회로 선폭을 가진 6세대 D램을 뜻한다. 1c D 램의 c는 10나노미터(nm) 급 D 램의 세대를 나타내는 알파벳으로 이전 세대인 1b D램(5세대)보다 미세한 공정으로 제작되며, 성능은 높고 전력 소비는 적다.

1c 기술을 적용한 DDR5의 동작 속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로, 이전 세대인 1b DDR5보다 11% 더 빠르며 전력 효율이 9% 이상 향상되었다.

SK하이닉스는 2024년 8월 29일 “세계 최초로 10nm(나노미터, 10억분의 1m)급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램 개발에 성공했다”면서 “연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년(2025년) 부터 제품을 공급해 메모리 반도체시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 발표했다. SK 하이닉스는 2025년에 1c D램을 양산할 계획이다.

삼성전자도 1c D램 개발에 박차를 가하고 있으며, 2024년 말까지 1c D램을 기반으로 한 HBM4 제품을 테스트하고 2025년 부터 1c D램 양산을 시작할 예정이다.

관련어

• 참조어반도체 제품 세대 명칭