용어사전

수직 채널 트랜지스터

[Vertical Channel Transistor]

VCT는 셀을 구성하는 트랜지스터에서 전자가 흐르는 통로인 채널을 수직으로 세우고 이를 스위치 역할을 하는 게이트로 감싸는 기술이다.

기존 2D D램은 트랜지스터의 채널이 수평으로 형성되어 있어 전류가 옆으로 새는 누설 전류가 발생하고, 이로 인해 데이터 저장 용량이 제한되는 문제가 있었다.

VCT를 활용하면 채널을 수직으로 세워 누설 전류를 줄이고, 데이터 저장 용량을 늘릴 수 있다.

삼성전자는 2025년 VCT(수직 채널 트랜지스터) 기술을 활용한 초기 버전 3D D램을 선보일 계획이다.