수직 채널 트랜지스터
[Vertical Channel Transistor]VCT는 셀을 구성하는 트랜지스터에서 전자가 흐르는 통로인 채널을 수직으로 세우고 이를 스위치 역할을 하는 게이트로 감싸는 기술이다.
기존 2D D램은 트랜지스터의 채널이 수평으로 형성되어 있어 전류가 옆으로 새는 누설 전류가 발생하고, 이로 인해 데이터 저장 용량이 제한되는 문제가 있었다.
VCT를 활용하면 채널을 수직으로 세워 누설 전류를 줄이고, 데이터 저장 용량을 늘릴 수 있다.
삼성전자는 2025년 VCT(수직 채널 트랜지스터) 기술을 활용한 초기 버전 3D D램을 선보일 계획이다.
-
슈링크플레이션[shrinkflation]
가격은 유지하면서 제품 크기나 수량을 줄이거나 품질을 낮춰 사실상 값을 올리는 효과를 거두...
-
시스템 리스크[systemic risk]
금융시스템 전체가 부실화될 위험을 의미한다. 개별 금융회사가 부실화될 경우 시스템리스크를 ...
-
스크린 상한제
스크린 상한제는 관객이 몰리는 주요 시간대에 특정 영화의 상영관 스크린 수를 제한하는 제도...
-
실리콘관통전극[through silicon via, TSV]
D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다 얇게 깎은 뒤 수백 개의 미세 구멍을 뚫어 상단 칩과...