GAA
[gate-all-around]반도체 미세화 한계 극복을 위해 도입한 기술로, 3나노 이하 초미세 회로에 도입될 트랜지스터(전류 흐름을 증폭하거나 스위치하는 역할) 구조다.
트랜지스터는 게이트(gate)에 전압이 가해지면 채널(channel)을 통해 전류를 흘리는데, 게이트와 채널이 4면에서 맞닿는 방식을 ‘GAA’라고 한다.
GAA를 활용하면 반도체의 누설전류를 줄일 수 있다. 이 기술을 이용하면 중앙처리장치(CPU)와 그래픽처리장치(GPU) 등 프로세서와 HBM을 수직으로 배치해 처리 속도와 데이터 처리 용량을 높일 수 있다.
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- 참조어LLW D램
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