STT-M 램
[Spin Transfer Torque-Magnetic RAM]D램과 낸드플래시의 특성을 모두 가지고 있어 전력이 끊겨도 데이터가 사라지지 않는 차세대 메모리이다.
STT-M램은 D램과 구조가 비슷하지만 커패시터 대신 복잡한 구조의 자성층을 형성시키는 메모리다. 이 자성체가 돌면서 빠른 속도로 전자를 이동시킨다.
기술적 한계로 여겨지는 10나노미터(㎚) 이하에서도 집적이 가능하며 처리 속도가 빠르고 전력 소모가 적다는 장점이 있다. 2011년 7월 하이닉스와 도시바가 2014년 M램 양산을 목표로 합작사를 설립하기도 했다. .