STT-램
[Spin Transfer Torque RAM, STT RAM]자기적 성질을 이용한 차세대 메모리로 D램과 낸드플래시의 장점을 고루 갖춘 메모리 솔루션이다. 커패시터에 전자를 가둬서 0과 1의 신호로 데이터를 보관하는 DRAM과 달리 STT-램은 자기터널접합(MTJ, magnetic tunnel junction)이라는 자성 물질구조에서 자성보유 여부에 따라 0과 1로 데이터를 저장한다. 전력 공급 없이도 정보를 보관할 수 있고 반복 기록 및 재생이 거의 무한하며 속도 S램 수준의 초고속 동작이 가능하며 기존 메모리들보다 소비 전력이 낮다. STT램은 기술적, 물리적 한계로 여겨지고 있는 40나노미터 이하인 30나노급과 20나노급 이하의 초미세 공정이 가능해 테라비트(Tb)급까지 집적도를 올릴 수 있는 차세대 유력 메모리다.