한국경제 용어사전

차세대 메모리 반도체

 

전원이 없어도 기억을 보존하는 낸드플래시의 성격을 지니면서 속도는 크게 향상된 메모리 반도체를 말한다.

D램은 속도가 빠르지만 전원을 끄면 데이터가 날아간다는 단점이 있다. 디지털 카메라 등 배터리를 사용해 작동하는 휴대용 전자기기가 늘면서 데이터 보존이 가능한 낸드플래시 시장은 차츰 확대돼 왔다. 하지만 지금의 속도로는 가상현실(VR) 등 고용량의 데이터를 빠르게 주고받기에는 한계가 있다. D램과 낸드플래시의 단점을 해결한 것이 차세대 반도체다. 인텔이 2016년 5월 공개한 ‘3D 크로스포인트' 가 차세대 반도체의 일종이다.

차세대 반도체는 소재에 따라 작동 원리와 성능이 달라진다. 우선 P램은 크리스털 등 비정질 물질을 이용해 전하를 가둬서 데이터를 기억한다. M램은 금속의 자성(磁性)을 이용한 저항에 따라 0과 1을 기억한다. 철과 코발트가 주소재다. Re램은 재료 스스로 저항하는 성질을 가지는 실리콘 옥사이드를 이용해 기억을 저장한다. 인텔이 의욕적으로 내놓은 3D 크로스포인트는 P램의 일종이다.


속도는 M램이 가장 빠르며 P램과 Re램이 뒤를 잇는다. 하지만 집적도는 반대로 Re램이 가장 높다. 현재 반도체 재료로 쓰는 실리콘과 비슷한 물질을 사용하는 만큼 기존 설비를 갖고도 상대적으로 높은 양산성을 낼 수 있어서다. 차세대 반도체의 윤곽이 어느 정도 나오고 있는 가운데 이 셋 중 어떤 반도체를 주력으로 삼느냐에 따라 업체마다 명운이 갈릴 수 있다. 속도만 보면 M램이 좋지만 낮은 양산성 때문에 가격이 높아 시장이 열리지 않을 수도 있어서다.

메모리 반도체업계에선 2020년이면 차세대 메모리 시장이 열릴 수 있을 것으로 보고 있다. 자율주행 등 고용량의 데이터를 빠르게 읽을 수 있는 반도체 수요가 증가하고 있기 때문이다. 다만 낸드플래시도 3차원(3D) 기술 등을 통해 집적도가 높아지고 성능이 개선되고 있어 차세대 메모리는 당분간 용도에 부합하는 일부 품목을 중심으로 유통될 것으로 전망된다.